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SI7145DP-T1-GE3  与  BSC030P03NS3 G  区别

型号 SI7145DP-T1-GE3 BSC030P03NS3 G
唯样编号 A36-SI7145DP-T1-GE3 A-BSC030P03NS3 G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 2.6 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.6mΩ 2.3mΩ
上升时间 - 105ns
Qg-栅极电荷 - 186nC
栅极电压Vgs ±20V 25V
正向跨导 - 最小值 - 47S
封装/外壳 SOIC-8 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 60A 100A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 6V,10V
下降时间 - 33ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 14000pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.1V @ 345µA
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 6.25W(Ta),104W(Tc) 125W
典型关闭延迟时间 - 98ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 TrenchFET® OptiMOS™
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 15660pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 413nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 27ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 186nC @ 10V
库存与单价
库存 6,331 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
6+ :  ¥8.624
100+ :  ¥7.513
750+ :  ¥6.82
1,500+ :  ¥6.567
3,000+ :  ¥6.27
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7145DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 60A 2.6mΩ

¥8.624 

阶梯数 价格
6: ¥8.624
100: ¥7.513
750: ¥6.82
1,500: ¥6.567
3,000: ¥6.27
6,331 当前型号
BSC030P03NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC030P03NS3GAUMA1_-55°C~150°C(TJ) 30V 100A 2.3mΩ 25V 125W P-Channel

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AON6403 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 P-Channel -30V ±20V -85A 83W 3.1mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C

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